中国移动研究院成功自主研发了首款全自研硅基外腔混合集成光源芯片，该芯片在设计和性能上实现了多项突破。芯片的本征线宽达到34.2 Hz，相位噪声比现有产品降低三个量级，为T比特级光传输提供了新解决方案。研究成果被光学顶级期刊Photonics Research录用。芯片设计、制备和封装均在国内完成，实现了全链条自主可控。