中国移动研究院成功自主研制出首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片，实现了全链条自主可控。该芯片凭借34.2 Hz的本征线宽，相位噪声比现有产品降低三个量级，为T比特级下一代光传输激光器提供了全新解决方案。芯片面积缩减90%，达到1.5mm×4mm，兼容标准的紧凑型nano封装，具备产品化应用前景。中国移动研究院以可调谐窄线宽激光器为核心突破口，系统性地布局超宽谱、超高速光传输基础芯片研究。